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NT9002HDAE4S-ES - JRC
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图片信息
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NT9002HDAE4S-ES
  • 制造厂家：JRC（NJR，日本无线，日清纺微电子）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 射频，封装:DFN1212-4-HD
  • 技术参数：DIODE FOR 1MW CLASS RECTIFIER
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NT9002HDAE4S-ES 技术参数详情：
  • 型号:NT9002HDAE4S-ES
  • 品牌:Nisshinbo Micro Devices Inc. (Nisshinbo,日清纺微电子,NJR/JRC)
  • 封装:DFN1212-4-HD
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:DIODE FOR 1MW CLASS RECTIFIER
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 二极管类型:反并联
  • 电压 - 峰值反向（最大值）:20V
  • 电流 - 最大值:10 mA
  • 不同Vr、F 时电容:0.025pF @ 2V，100MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散（最大值）:920 mW
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:4-XFDFN 焊盘
  • 供应商器件封装:DFN1212-4-HD
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