射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IV2Q06025D7Z - Inventchip
Inventchip代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Inventchip产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IV2Q06025D7Z 图片
IV2Q06025D7Z
  • 制造厂家：Inventchip (瞻芯电子)
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263-7
  • 技术参数：GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
  • 需要IV2Q06025D7Z的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IV2Q06025D7Z 技术参数详情：
  • 型号:IV2Q06025D7Z
  • 品牌:Inventchip公司 (瞻芯电子)
  • 封装:TO-263-7
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GEN 2, SIC MOSFET, 650V 25MOHM,
  • 系列:-
  • 包装:
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):111A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:33 毫欧 @ 40A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 12mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+20V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3090 pF @ 600 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-263-7
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片）
  • 快速提供IV2Q06025D7Z专业且全面的报价，Inventchip代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Inventchip品牌LOGO
更多Inventchip产品：
Inventchip公司授权代理商
Simcom
Brainchip
Guerrilla RF
Amtery
GeneSiC
IV2Q06025D7Z（制造商：Inventchip） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台