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IGN1011L70 - Integra
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图片信息
IGN1011L70 图片
IGN1011L70
  • 制造厂家：Integra
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET，封装:PL32A2
  • 技术参数：RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
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IGN1011L70 技术参数详情：
  • 型号:IGN1011L70
  • 品牌:Integra Technologies Inc. (Integra)
  • 封装:PL32A2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
  • 描述:RF MOSFET GAN HEMT 50V PL32A2
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 技术:GaN HEMT
  • 配置:-
  • 频率:1.03GHz ~ 1.09GHz
  • 增益:22dB
  • 电压 - 测试:50 V
  • 额定电流（安培）:-
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:22 mA
  • 功率 - 输出:80W
  • 电压 - 额定:120 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:PL32A2
  • 供应商器件封装:PL32A2
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