SPU04N60S5 - Infineon
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图片信息
SPU04N60S5
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-TO251-3
技术参数:
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
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SPU04N60S5 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:SPU04N60S5
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-251
系列:CoolMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):950 毫欧 @ 2.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 200A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22.9nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):580pF @ 25V
功率 - 最大值:50W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商器件封装:PG-TO251-3
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