SPI80N03S2L-03 - Infineon
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图片信息
SPI80N03S2L-03
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO262-3-1
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
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SPI80N03S2L-03 技术参数详情:
制造商产品型号:SPI80N03S2L-03
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:OptiMOS
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):80A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.1 毫欧 @ 80A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):220nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):8180pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
器件封装:PG-TO262-3-1
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