SPD18P06P - Infineon
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图片信息
SPD18P06P
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PG-TO252-3
技术参数:
MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
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SPD18P06P 技术参数详情:
型号:SPD18P06P
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO252-3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):130 毫欧 @ 13.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):33 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):860 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):80W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-TO252-3
封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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