SPB73N03S2L-08 - Infineon
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图片信息
SPB73N03S2L-08
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:PG-TO263-3-2
技术参数:
MOSFET N-CH 30V 73A TO263-3
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SPB73N03S2L-08 技术参数详情:
制造商产品型号:SPB73N03S2L-08
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 30V 73A TO263-3
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:OptiMOS
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):73A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):8.1 毫欧 @ 36A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 55A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):46.2nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1710pF @ 25V
FET功能:-
功率耗散(最大值):107W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PG-TO263-3-2
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