SIDC30D60E6 - Infineon
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图片信息
SIDC30D60E6
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单二极管整流器,带箔切割晶片
技术参数:
DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
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SIDC30D60E6 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:SIDC30D60E6
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER
系列:-
二极管类型:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600V
电流 - 平均整流 (Io):75A(DC)
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf):1.25V @ 75A
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):-
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:27A @ 600V
不同 Vr、F 时的电容:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:晶片
供应商器件封装:带箔切割晶片
工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
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