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SIDC23D60E6Y - Infineon
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图片信息
SIDC23D60E6Y 图片
SIDC23D60E6Y
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单二极管整流器，带箔切割晶片
  • 技术参数：DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
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SIDC23D60E6Y 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：SIDC23D60E6Y
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
  • 系列：-
  • 二极管类型：标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600V
  • 电流 - 平均整流 (Io)：50A（DC）
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.25V @ 50A
  • 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：27A @ 600V
  • 不同 Vr、F 时的电容：-
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：晶片
  • 供应商器件封装：带箔切割晶片
  • 工作温度 - 结：-55°C ~ 150°C
  • 快速提供SIDC23D60E6Y专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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