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SGB15N120 - Infineon
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图片信息
SGB15N120 图片
SGB15N120
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单路IGBT，PG-TO263-3
  • 技术参数：IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
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SGB15N120 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：SGB15N120
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT 1200V 30A 198W TO263-3
  • 系列：-
  • IGBT 类型：NPT
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：30A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：52A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：3.6V @ 15V，15A
  • 功率 - 最大值：198W
  • Switching Energy：1.9mJ
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：130nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：18ns/580ns
  • Test Condition：800V, 15A, 33 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：PG-TO263-3
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