IRLMS2002TR - Infineon
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图片信息
IRLMS2002TR
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:Micro6(SOT23-6)
技术参数:
MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
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IRLMS2002TR 技术参数详情:
制造商产品型号:IRLMS2002TR
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:*
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):6.5A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):30 毫欧 @ 6.5A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22nC @ 5V
Vgs(最大值):-
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1310pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-
安装类型:表面贴装型
器件封装:Micro6(SOT23-6)
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