IRFR3711TR - Infineon
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图片信息
IRFR3711TR
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D-Pak
技术参数:
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
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IRFR3711TR 技术参数详情:
制造商产品型号:IRFR3711TR
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 15A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):44nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2980pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),120W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:D-Pak
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