IRF7756TR - Infineon
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图片信息
IRF7756TR
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
技术参数:
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
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IRF7756TR 技术参数详情:
制造商产品型号:IRF7756TR
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:HEXFET
零件状态:停产
FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):12V
25°C时电流-连续漏极(Id):4.3A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 4.3A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):900mV @ 250A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):18nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1400pF @ 10V
功率-最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-TSSOP(0.173,4.40mm 宽)
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