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IRF7756GTRPBF - Infineon
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图片信息
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IRF7756GTRPBF
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
  • 技术参数：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
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IRF7756GTRPBF 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IRF7756GTRPBF
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：HEXFET
  • 零件状态：停产
  • FET类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：12V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4.3A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：40 毫欧 @ 4.3A，4.5V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：900mV @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 10V
  • 功率-最大值：1W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-TSSOP（0.173，4.40mm 宽）
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