IRF7524D1GTRPBF - Infineon
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图片信息
IRF7524D1GTRPBF
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-uSMD
技术参数:
MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD
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IRF7524D1GTRPBF 技术参数详情:
型号:IRF7524D1GTRPBF
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-uSMD
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 1.7A 8USMD
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.7V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250A(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.2 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):240 pF @ 15 V
FET 功能:肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值):1.25W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-uSMD
封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118
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IRF7524D1GTRPBF
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