IRF6797MTR1PBF - Infineon
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图片信息
IRF6797MTR1PBF
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DIRECTFET MX
技术参数:
MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
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IRF6797MTR1PBF 技术参数详情:
制造商产品型号:IRF6797MTR1PBF
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:HEXFET
零件状态:停产
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):25V
25°C时电流-连续漏极(Id):36A(Ta),210A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.4 毫欧 @ 38A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.35V @ 150A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):68nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5790pF @ 13V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.8W(Ta),89W(Tc)
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DIRECTFET MX
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