IR2117STR - Infineon
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图片信息
IR2117STR
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SOIC
技术参数:
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
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IR2117STR 技术参数详情:
型号:IR2117STR
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:8-SOIC
类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
驱动配置:高端
通道类型:单路
驱动器数:1
栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
电压 - 供电:10V ~ 20V
逻辑电压- VIL,VIH:6V,9.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):250mA,500mA
输入类型:非反相
高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
上升/下降时间(典型值):80ns,40ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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