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IPW65R041CFD - Infineon
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图片信息
IPW65R041CFD 图片
IPW65R041CFD
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-TO247-3
  • 技术参数：MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
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IPW65R041CFD 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPW65R041CFD
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
  • 系列：CoolMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：68.5A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：41 毫欧 @ 33.1A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 3.3mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8400pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：500W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-247-3
  • 供应商器件封装：PG-TO247-3
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