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IPL60R385CP - Infineon
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图片信息
IPL60R385CP 图片
IPL60R385CP
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-VSON-4
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON
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IPL60R385CP 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPL60R385CP
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON
  • 系列：CoolMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：385 毫欧 @ 5.2A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 340A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：790pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：83W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-TSFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：PG-VSON-4
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