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IPI26CNE8N G - Infineon
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图片信息
IPI26CNE8N G 图片
IPI26CNE8N G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO262-3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
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IPI26CNE8N G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IPI26CNE8N G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：OptiMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：85V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：26 毫欧 @ 35A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 39A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：31nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2070pF @ 40V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：71W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：PG-TO262-3
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