IPD22N08S2L-50 - Infineon
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图片信息
IPD22N08S2L-50
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-TO252-3
技术参数:
MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
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IPD22N08S2L-50 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPD22N08S2L-50
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 75V 27A TO252-3
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):27A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 31A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):630pF @ 25V
功率 - 最大值:75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装:PG-TO252-3
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