IPB60R250CP - Infineon
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图片信息
IPB60R250CP
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,P-TO263-3
技术参数:
MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
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IPB60R250CP 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB60R250CP
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
系列:CoolMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):250 毫欧 @ 7.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 440A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 100V
功率 - 最大值:104W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商器件封装:P-TO263-3
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IPB60R250CP
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