IPB160N04S2L-03 - Infineon
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图片信息
IPB160N04S2L-03
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-TO263-7
技术参数:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
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IPB160N04S2L-03 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPB160N04S2L-03
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):160A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.7毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):230nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6000pF @ 15V
功率 - 最大值:300W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,DPak(6 引线+接片),TO-263CB
供应商器件封装:PG-TO263-7
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