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IPB100N06S3-04 - Infineon
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图片信息
IPB100N06S3-04 图片
IPB100N06S3-04
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-TO263-3-2
  • 技术参数：MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
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IPB100N06S3-04 技术参数详情：
  • 型号:IPB100N06S3-04
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO263-3-2
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:55 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 150A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:314 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:14230 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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