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IPB085N06L G - Infineon
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图片信息
IPB085N06L G 图片
IPB085N06L G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-3-2
  • 技术参数：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
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IPB085N06L G 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：IPB085N06L G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：*
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.2 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 125A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：104nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3500pF @ 30V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：PG-TO263-3-2
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