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IPB031NE7N3 G - Infineon
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图片信息
IPB031NE7N3 G 图片
IPB031NE7N3 G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-TO263-2
  • 技术参数：MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
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IPB031NE7N3 G 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IPB031NE7N3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：75V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.1 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 155A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：117nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8130pF @ 37.5V
  • 功率 - 最大值：214W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，DPak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商器件封装：PG-TO263-2
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