IPA60R190E6 - Infineon
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图片信息
IPA60R190E6
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-TO-220-FP
技术参数:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
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IPA60R190E6 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IPA60R190E6
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220
系列:CoolMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20.2A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):190 毫欧 @ 9.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 630A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):63nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1400pF @ 100V
功率 - 最大值:34W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:PG-TO-220-FP
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