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IMBG65R010M2H - Infineon
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图片信息
IMBG65R010M2H 图片
IMBG65R010M2H
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-TO263-7-12
  • 技术参数：IMBG65R010M2H
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IMBG65R010M2H 技术参数详情：
  • 型号:IMBG65R010M2H
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO263-7-12
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:IMBG65R010M2H
  • 包装:剪切带（CT）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):158A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:15V，20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.1 毫欧 @ 92.1A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.6V @ 18.7mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+23V，-7V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4001 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:535W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-TO263-7-12
  • 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
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