射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IKD10N60RAATMA2 - Infineon
Infineon代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Infineon产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IKD10N60RAATMA2 图片
IKD10N60RAATMA2
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:PG-TO252-3
  • 技术参数：IGBT TRENCH 600V 20A TO252-3
  • 需要IKD10N60RAATMA2的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IKD10N60RAATMA2 技术参数详情：
  • 型号:IKD10N60RAATMA2
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH 600V 20A TO252-3
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:20 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):30 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，10A
  • 功率 - 最大值:150 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:64 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:14ns/192ns
  • 测试条件:400V，10A，23 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):62 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
  • 快速提供IKD10N60RAATMA2专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Infineon品牌LOGO
更多Infineon产品：
Infineon公司授权代理商
Matrix
Himax
Toshiba
Good-Ark
AK-Nord
IKD10N60RAATMA2（制造商：Infineon） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台