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IKB40N65ES5ATMA1 - Infineon
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图片信息
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IKB40N65ES5ATMA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:PG-TO263-3
  • 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
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IKB40N65ES5ATMA1 技术参数详情：
  • 型号:IKB40N65ES5ATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO263-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 79A TO263-3
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:79 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.74V @ 15V，40A
  • 功率 - 最大值:230 W
  • 开关能量:860J（导通），400J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:95 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:19ns/130ns
  • 测试条件:400V，40A，10 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):73 ns
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-3
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