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IGW75N65H5XKSA1 - Infineon
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图片信息
IGW75N65H5XKSA1 图片
IGW75N65H5XKSA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:PG-TO247-3
  • 技术参数：IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
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IGW75N65H5XKSA1 技术参数详情：
  • 型号:IGW75N65H5XKSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • IGBT 类型:沟道
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:120 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，75A
  • 功率 - 最大值:395 W
  • 开关能量:2.25mJ（导通），950J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:160 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/174ns
  • 测试条件:400V，75A，8 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • 供应商器件封装:PG-TO247-3
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