射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IGT60R070D1ATMA1 - Infineon
Infineon代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Infineon产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IGT60R070D1ATMA1 图片
IGT60R070D1ATMA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:PG-HSOF-8-3
  • 技术参数：GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
  • 需要IGT60R070D1ATMA1的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IGT60R070D1ATMA1 技术参数详情：
  • 型号:IGT60R070D1ATMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-HSOF-8-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:GaNFET（氮化镓）
  • 漏源电压（Vdss）:600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):31A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1，6V @ 2，6mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • Vgs（最大值）:-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 400 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:PG-HSOF-8-3
  • 封装/外壳:8-PowerSFN
  • 快速提供IGT60R070D1ATMA1专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Infineon品牌LOGO
更多Infineon产品：
Infineon公司授权代理商
THine
Werbel Microwave
SPARK
NI
ThingMagic
IGT60R070D1ATMA1（制造商：Infineon） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台