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IGD06N65T6ARMA1 - Infineon
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图片信息
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IGD06N65T6ARMA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT，封装:PG-TO252-3
  • 技术参数：IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
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IGD06N65T6ARMA1 技术参数详情：
  • 型号:IGD06N65T6ARMA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO252-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:9 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):18 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.9V @ 15V，3A
  • 功率 - 最大值:31 W
  • 开关能量:60J（导通），30J（关断）
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:13.7 nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/35ns
  • 测试条件:400V，3A，47 欧姆，15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
  • 供应商器件封装:PG-TO252-3
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