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IGD01N120H2 - Infineon
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图片信息
IGD01N120H2 图片
IGD01N120H2
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单路IGBT，PG-TO252-3
  • 技术参数：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
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IGD01N120H2 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：IGD01N120H2
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT 1200V 3.2A 28W TO252-3
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：3.2A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：3.5A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.8V @ 15V，1A
  • 功率 - 最大值：28W
  • Switching Energy：140J
  • 输入类型：标准
  • Gate Charge：8.6nC
  • 25°C 时 Td（开/关）值：13ns/370ns
  • Test Condition：800V, 1A, 241 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr)：-
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 安装类型：表面贴装
  • 供应商器件封装：PG-TO252-3
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