IGB15N60T - Infineon
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图片信息
IGB15N60T
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单路IGBT,PG-TO263-3-2
技术参数:
IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
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IGB15N60T 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:IGB15N60T
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IGBT 600V 30A 130W TO263-3-2
系列:TrenchStop
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A
Current - Collector Pulsed (Icm):45A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.05V @ 15V,15A
功率 - 最大值:130W
Switching Energy:570J
输入类型:标准
Gate Charge:87nC
25°C 时 Td(开/关)值:17ns/188ns
Test Condition:400V, 15A, 15 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):-
封装/外壳:TO-263-3,DPak(2 引线+接片),TO-263AB
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:PG-TO263-3-2
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