IDT04S60C - Infineon
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图片信息
IDT04S60C
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:PG-TO220-2
技术参数:
DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO220
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IDT04S60C 技术参数详情:
型号:IDT04S60C
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO220-2
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:DIODE SIL CARB 600V 3A PGTO220
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
电流 - 平均整流 (Io):3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2.4 V @ 3 A
速度:零恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:15 A @ 600 V
不同Vr、F 时电容:60pF @ 1V,1MHz
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-2
供应商器件封装:PG-TO220-2
工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
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IDT04S60C
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