射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
IDH09G65C5XKSA1 - Infineon
Infineon代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Infineon产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
IDH09G65C5XKSA1 图片
IDH09G65C5XKSA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管，封装:PG-TO220-2-2
  • 技术参数：DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2202
  • 需要IDH09G65C5XKSA1的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
IDH09G65C5XKSA1 技术参数详情：
  • 型号:IDH09G65C5XKSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:PG-TO220-2-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SIL CARB 650V 9A PGTO2202
  • 包装:管件
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):9A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.7 V @ 9 A
  • 速度:零恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:310 A @ 650 V
  • 不同Vr、F 时电容:270pF @ 1V，1MHz
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-2
  • 供应商器件封装:PG-TO220-2-2
  • 工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
  • 快速提供IDH09G65C5XKSA1专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Infineon品牌LOGO
更多Infineon产品：
Infineon公司授权代理商
Applied Kilovolts
Agilink
GeneSiC
Adesto
Dresden
IDH09G65C5XKSA1（制造商：Infineon） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台