IDB09E60ATMA1 - Infineon
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图片信息
IDB09E60ATMA1
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:PG-TO263-3-2
技术参数:
DIODE STD 600V 19.3A PGTO26332
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IDB09E60ATMA1 技术参数详情:
型号:IDB09E60ATMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-TO263-3-2
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:DIODE STD 600V 19.3A PGTO26332
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):600 V
电流 - 平均整流 (Io):19.3A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):2 V @ 9 A
速度:快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr):75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 600 V
不同Vr、F 时电容:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
供应商器件封装:PG-TO263-3-2
工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C
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IDB09E60ATMA1
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