FZ400R12KE3HOSA1 - Infineon
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图片信息
FZ400R12KE3HOSA1
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块,封装:模块
技术参数:
IGBT MOD 1200V 650A 2250W MOD
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FZ400R12KE3HOSA1 技术参数详情:
型号:FZ400R12KE3HOSA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:模块
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
描述:IGBT MOD 1200V 650A 2250W MOD
系列:-
包装:托盘
产品状态:在售
IGBT 类型:-
配置:单路
电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):650 A
功率 - 最大值:2250 W
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,400A
电流 - 集电极截止(最大值):5 mA
不同Vce 时输入电容 (Cies):28 nF @ 25 V
输入:标准
NTC 热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
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