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FS200R07A1E3 - Infineon
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图片信息
FS200R07A1E3 图片
FS200R07A1E3
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：IGBT模块，模块
  • 技术参数：IGBT 650V 250A 790W
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FS200R07A1E3 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：FS200R07A1E3
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT 650V 250A 790W
  • 系列：-
  • IGBT 类型：-
  • 配置：三相反相器
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：650V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：250A
  • 功率 - 最大值：790W
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 15V，200A
  • 电流 - 集电极截止（最大值）：1mA
  • 不同 Vce 时的输入电容 (Cies)：13nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC 热敏电阻：是
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：模块
  • 供应商器件封装：模块
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