FF3MR20W3M1HH11BPSA1 技术参数详情：
- 型号:FF3MR20W3M1HH11BPSA1
- 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:EASY STANDARD PLUS
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:4 N 沟道（相位桥臂 + 升压斩波器）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:2000V（2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):275A（Tj）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.1 毫欧 @ 320A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.15V @ 224mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1560nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:47900pF @ 1500V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:-40°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:-
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