射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
FF3MR12KM1HOSA1 - Infineon
Infineon代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Infineon产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
FF3MR12KM1HOSA1 图片
FF3MR12KM1HOSA1
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:AG-62MM
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
  • 需要FF3MR12KM1HOSA1的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
FF3MR12KM1HOSA1 技术参数详情：
  • 型号:FF3MR12KM1HOSA1
  • 品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
  • 封装:AG-62MM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 1200V 375A AG-62MM
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 技术:碳化硅（SiC）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):375A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.83 毫欧 @ 375A，15V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.15V @ 168mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1000nC @ 15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:29800pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:-
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:AG-62MM
  • 快速提供FF3MR12KM1HOSA1专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Infineon品牌LOGO
更多Infineon产品：
Infineon公司授权代理商
Apex Tool Group
Adesto
Matrix
SPARK
ICE Components
FF3MR12KM1HOSA1（制造商：Infineon） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台