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DF80R12W2H3_B11 - Infineon
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图片信息
DF80R12W2H3_B11 图片
DF80R12W2H3_B11
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：晶体管 - IGBT - 模块，封装：-
  • 技术参数：IGBT MODULE VCES 1200V 160A
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DF80R12W2H3_B11 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：DF80R12W2H3_B11
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT MODULE VCES 1200V 160A
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 配置：-
  • 电压-集射极击穿（最大值）：-
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：-
  • 功率-最大值：-
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：-
  • 电流-集电极截止（最大值）：-
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：-
  • 输入：-
  • NTC热敏电阻：-
  • 工作温度：-
  • 安装类型：-
  • 封装：-
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