CY7C1019D-10VXIT - Infineon
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图片信息
CY7C1019D-10VXIT
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:32-SOJ
技术参数:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
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CY7C1019D-10VXIT 技术参数详情:
型号:CY7C1019D-10VXIT
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:32-SOJ
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:SRAM
技术:SRAM - 异步
存储容量:1Mb
存储器组织:128K x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:10ns
访问时间:10 ns
电压 - 供电:4.5V ~ 5.5V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:32-BSOJ(0.400,10.16mm 宽)
供应商器件封装:32-SOJ
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