射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
BSZ086P03NS3E G - Infineon
Infineon代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Infineon产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
BSZ086P03NS3E G 图片
BSZ086P03NS3E G
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-TSDSON-8
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • 需要BSZ086P03NS3E G的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
BSZ086P03NS3E G 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ086P03NS3E G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.5A（Ta），40A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4785pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：69W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
  • 快速提供BSZ086P03NS3E G专业且全面的报价，Infineon代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Infineon品牌LOGO
更多Infineon产品：
Infineon公司授权代理商
Pericom
Vybronics
Energy Re-Connect
Finder
Helium
BSZ086P03NS3E G（制造商：Infineon） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台