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BSS205N L6327 - Infineon
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图片信息
BSS205N L6327 图片
BSS205N L6327
  • 制造厂家：Infineon（英飞凌）
  • 类别封装：单端场效应管，PG-SOT23-3
  • 技术参数：MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
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BSS205N L6327 技术参数详情：
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSS205N L6327
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT-23
  • 系列：OptiMOS
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.5A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 11A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.2nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：419pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：500mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商器件封装：PG-SOT23-3
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