BSS138N L6433 - Infineon
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图片信息
BSS138N L6433
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-SOT23-3
技术参数:
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
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BSS138N L6433 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BSS138N L6433
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):230mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.5 欧姆 @ 230mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):41pF @ 25V
功率 - 最大值:360mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:PG-SOT23-3
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BSS138N L6433
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