BSP372 L6327 - Infineon
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图片信息
BSP372 L6327
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
单端场效应管,PG-SOT223-4
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
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BSP372 L6327 技术参数详情:
Infineon英飞凌公司完整型号:BSP372 L6327
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
系列:SIPMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):310 毫欧 @ 1.7A,5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装:PG-SOT223-4
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BSP372 L6327
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