BSP129L6906 - Infineon
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图片信息
BSP129L6906
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:PG-SOT223-4-21
技术参数:
N-CHANNEL POWER MOSFET
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BSP129L6906 技术参数详情:
型号:BSP129L6906
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-SOT223-4-21
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N-CHANNEL POWER MOSFET
包装:散装
产品状态:在售
FET 类型:N 沟道,耗尽型
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):350mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):0V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):6 欧姆 @ 350mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 108A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.7 nC @ 5 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):108 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.8W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:PG-SOT223-4-21
封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
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