BSO615CGXUMA1 - Infineon
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图片信息
BSO615CGXUMA1
制造厂家:
Infineon(英飞凌)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:PG-DSO-8
技术参数:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO
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BSO615CGXUMA1 技术参数详情:
型号:BSO615CGXUMA1
品牌:Infineon Technologies (Infineon,英飞凌)
封装:PG-DSO-8
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A 8DSO
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A(Ta),2A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 3.1A,10V,300 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 20A,2V @ 450A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):22.5nC @ 10V,20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):380pF @ 25V,460pF @ 25V
功率 - 最大值:2W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8
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BSO615CGXUMA1
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